OPPO Enco X2在第一代Enco X的双扬声器基础上，大体结构得到延续，仍然是动圈中低音配合电磁式平板高音的搭配，官方给这套系统命名为DBEE，这一次为第二代Super DBEE同轴扬声器系统。这里的同轴，并非传统音箱扬声器上的同轴共点，而是两只扬声器的同一轴心。Enco X2虽仍是动圈和高音平板的组合，但两个扬声器技术上都有较大幅度的升级。首先我们先来看看这只动圈扬声器。
动圈扬声器：根据官方资料，此次Enco X2的动圈扬声器采用了0.0095mm[9.5微米]厚度的液晶分子材料振膜，通过液体流延工艺直接成型，也包括振膜上的凹槽等，均为一次成型。球顶和折环边沿等材料一致，根据官方介绍来看，没有做镀层等处理。但与前一代Enco X相比，振膜厚度从原来的35微米降至现在的9.5微米。扬声器音圈，使用大黑公司的铜包铝线，直径33微米。
磁钢部分，官方给出了磁能积为420KJ/m3的数据[肯定远高于N48钕铁硼]，这个单位比较生僻，查对照资料基本可知这是一个N52级别的[MGOe在52左右或更高]钕铁硼磁钢，一般饱和磁化强度大概在1.5T[1.5特斯拉左右，或更高]。关注近年来发烧圈动圈耳机产品的朋友，应该对这几个数据不陌生了。
官方也展示了这只扬声器的频响曲线，但由于某些技术保密原因，这条曲线没有展示完全。但总之，在这样的配置下，单个动圈其实已经有非常好的中高频延伸。同时，扬声器还加入了专利设计的气流控制结构，让调音更为得心应手。接下来问题来了，这只新的高音单元是如何设计的？
平板高音：这次的高音设计，更准确的根据设计来说可以称得上超高音，它的分频点被定在了13kHz左右，而第一代Enco X的分频点是8kHz，其实已经算比较高了。13kHz以上的声音，看似微弱，但其实对高频和超高频的质感影响还是挺大的，大家有兴趣可以自己拿个EQ实践一下。
官方此次没有强调这个高音的结构，但从资料来看仍然是第一代Enco X一样的电磁平板高音。音圈至于平衡的磁场中，垂直方向推动平面振膜，而且只负责超高频。此次的提升在于，它将磁铁从2片升级到了4片，理论上更为均匀。官方给出频响曲线，在10kHz-20kHz上相比Enco X的高音单元有了明显提升，再加上分频点提升，理论上对于Enco X2上这只超高音来说，能力上应该绰绰有余了。
LHDC无线传输：此次OPPO Enco X2标配LHDC 3.0，高配选配LHDC 4.0的蓝牙音频无线编解码。即目前只有在一加10系列和Find X5系列上，可以支持LHDC 4.0，而其他原本支持LHDC 3.0的机型也可兼容使用。庆幸的是，此次LHDC的支持终于不是什么白名单机制了，一开机就直接可以使用了。LHDC 4.0差别在app界面上有单独Hi-Res无线标识，理论上提供24bit/96kHz PCM下的最高900kbps压缩率蓝牙真无线传输。而LHDC前一版本的码率档位为300kbps和500kbps，两个版本都可动态切换。
另外，值得一提的是，LHDC进化至3.0版本之后，已经为TWS的应用全面优化。并不是说，高码率带来高音质的同时就可能伴随不稳定或高延迟[注意：并不是，并不是]。而是在LHDC下，延迟会更低[动态切换码率]，同时，TWS的连接稳定性也会更好。下面体验会谈到。
”黄金听感“辅助：OPPO为Enco X2加入了黄金听感辅助的调音补偿功能，这套功能由两部分组成，一部分是主动的耳道扫描；另一部分是配合播放的信号进行客观测试。主动扫描部分，系统会播放一小段音乐，结果自动完成。但此时必须进入到第二段客观测试部分，无法跳过。这个过程，在之前OPPO耳机和其他品牌耳机也出现过，系统会播放不同频率段和响度的声音，用户配合点击是否能听的见。
从实际测试结果来看，主动耳道扫描对低频和中低频的补偿起决定作用，因为在客观测试中并没有出现该频段的信号。而客观测试部分，主要对中频和中高频进行补偿。由于测试中有较高高频和很弱声强的信号，需要使用的话，应在尽量安静的环境下进行。
Enco Master调音：在2021年1月，OPPO为Enco X增加了Dynaudio的两组全新调音曲线——淳朴悠然、澎湃爽朗，与最初的纯粹原音一起构成三组可选音色。此次，品牌名称上改为Enco Master，则是为Enco X2耳机加入了“久石让大师调音”。这套方案设计，在主观听感上肯定可以感知出它的风格，同时也符合本次Enco X2在声音风格品牌定位上，去追求录音室监听品质的想法。
蓝牙方案：目前没有拆解，不清楚OPPO Enco X2的蓝牙具体方案，应该是来自恒玄科技BES的芯片，单从芯片指标来看，前一代已经使用的BES2500YP，已经提供了足够强大，例如官方给出的音频DAC指标就可以支持高达384kHz采样率和32bit采样精度。当然，TWS耳机目前需要宽频的主动降噪，超低功耗的语音唤醒等都一应俱全，此次不知Enco X2是否有更新的BES方案。
在细节方面，BES相比高通的优势在于28nm的半导体制造工艺，这带来了更高的效能，同时，在官方信噪比指标方面也要优于高通。但注意，这里的信噪比和动态范围基于理论指标[其实是底噪指标]，在音频耳机放大输出单元方面，不能以此为参考。当然，更低的底噪对于TWS耳机目前日益应用特别多元化的环境下，更能在应用细节中得到体现。
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